硅中BF_2~+注入束流效应的掠角背散射沟道分析

	硅中BF_2~+注入束流效应的掠角背散射沟道分析
	李晓勤 ; 林成鲁 ; 杨根庆 ; 周祖尧 ; 邹世昌 ; E.Ktai
刊名	核技术
	1991
期号	04
ISSN号	0253-3219
中文摘要	本文用掠角背散射沟道分析技术研究了能量为147keV,剂量为2×10~(15)/cm~2,束流为20—140μA(束流强度0.41—2.86μA/cm~2)的BF_2~+注入后的<100>Si样品,分析了离子注入损伤的深度分布和移位原子浓度的变化,发现了用常规背散射沟道分析技术所不能观测到的表层损伤的束流效应细节,并对这些现象进行了讨论。
语种	中文
公开日期	2012-03-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/106079]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所）
推荐引用方式 GB/T 7714	李晓勤,林成鲁,杨根庆,等. 硅中BF_2~+注入束流效应的掠角背散射沟道分析[J]. 核技术,1991(04).
APA	李晓勤,林成鲁,杨根庆,周祖尧,邹世昌,&E.Ktai.(1991).硅中BF_2~+注入束流效应的掠角背散射沟道分析.核技术(04).
MLA	李晓勤,et al."硅中BF_2~+注入束流效应的掠角背散射沟道分析".核技术 .04(1991).