硅中分子离子注入的损伤增强效应

	硅中分子离子注入的损伤增强效应
	林成鲁 ; 杨根庆 ; 方子韦 ; 李晓勤 ; 邹世昌 ; J.Gyulai ; R.G.Elliman
刊名	中国科学(A辑数学物理学天文学技术科学)
	1992
期号	07
ISSN号	1006-9232
中文摘要	本文研究了单晶硅中磷分子离子(P_2~+)注入相对于磷原子离子(P~+)注入的损伤增强效应,系统分析了这种损伤增强效应与注入剂量、能量、靶温的关系以及注入后退火的特征,利用我们提出的离子注入时分子离子与靶原子的多体碰撞模型对其物理机制进行了讨论.
公开日期	2012-03-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/106081]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所）
推荐引用方式 GB/T 7714	林成鲁,杨根庆,方子韦,等. 硅中分子离子注入的损伤增强效应[J]. 中国科学(A辑数学物理学天文学技术科学),1992(07).
APA	林成鲁.,杨根庆.,方子韦.,李晓勤.,邹世昌.,...&R.G.Elliman.(1992).硅中分子离子注入的损伤增强效应.中国科学(A辑数学物理学天文学技术科学)(07).
MLA	林成鲁,et al."硅中分子离子注入的损伤增强效应".中国科学(A辑数学物理学天文学技术科学) .07(1992).