硅中注入BF_2~＋辐射损伤的反常行为

	硅中注入BF_2~＋辐射损伤的反常行为
	林成鲁 ; 李晓勤 ; 周祖尧 ; 杨根庆 ; 邹世昌
刊名	核技术
	1995
期号	12
ISSN号	CN 311342TL
中文摘要	借助离子束背散射和沟道技术结合透射电子显微镜分析，研究了在３００Ｋ和７７Ｋ下硅中注入ＢＦ２＋辐射损伤的反常行为．结果发现ＢＦ２＋注入在硅中产生的损伤层或无定形层情况区别于其它较重离子（质量数≥２７Ａｌ＋）注入．在３００Ｋ下注入时，硅中引入的两个损伤峰，其中一个位于离子入射的平均投影射程附近，另一个则在近表面；在７７Ｋ下注入时，硅中引入的损伤层或无定形层首先出现在近表面，随注入剂量的增加，无定形层向硅体内延伸。
公开日期	2012-03-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/106089]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所）
推荐引用方式 GB/T 7714	林成鲁,李晓勤,周祖尧,等. 硅中注入BF_2~＋辐射损伤的反常行为[J]. 核技术,1995(12).
APA	林成鲁,李晓勤,周祖尧,杨根庆,&邹世昌.(1995).硅中注入BF_2~＋辐射损伤的反常行为.核技术(12).
MLA	林成鲁,et al."硅中注入BF_2~＋辐射损伤的反常行为".核技术 .12(1995).