P_2~+和P~+注入硅固相外延过程时间分辨的反射率研究

	P_2~+和P~+注入硅固相外延过程时间分辨的反射率研究
	方子韦 ; 林成鲁 ; 杨根庆 ; 李晓勤 ; 邹世昌 ; R.G.ELLIMAN
刊名	物理学报
	1990
期号	07
ISSN号	1000-3290
中文摘要	本文以时间分辨的反射率测量结合背散射和沟道分析、透射电子显微镜分析,比较和研究了在77K温度下180keV,1×10~(14)/cm~2P_2~+ 和90KeV,2×10~(14)/cm~2P~+注入硅于550℃退火时的固相外延过程。发现了P_2~+,P~+注入硅样品的固相外延过程具有不同的特征。这种差异是由于P_2~+和P~+在硅中引入不同的损伤造成的。P~+注入的硅样品测量得到的时间分辨的反射谱是反常的。这种反常谱可用样品退火时从表面层到非晶硅层与从衬底到非晶硅层的双向外延的过程给出满意的解释。
语种	中文
公开日期	2012-03-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/104176]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所）
推荐引用方式 GB/T 7714	方子韦,林成鲁,杨根庆,等. P_2~+和P~+注入硅固相外延过程时间分辨的反射率研究[J]. 物理学报,1990(07).
APA	方子韦,林成鲁,杨根庆,李晓勤,邹世昌,&R.G.ELLIMAN.(1990).P_2~+和P~+注入硅固相外延过程时间分辨的反射率研究.物理学报(07).
MLA	方子韦,et al."P_2~+和P~+注入硅固相外延过程时间分辨的反射率研究".物理学报 .07(1990).