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Asymmetric optical waveguide structure for reducing loss and enhancing power output in semiconductor lasers 专利
专利号: US20010053168A1, 申请日期: 2001-12-20, 公开日期: 2001-12-20
作者:  MATHUR, ATUL
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Semiconductor laser device 专利
专利号: US20010053169A1, 申请日期: 2001-12-20, 公开日期: 2001-12-20
作者:  YOSHIDA, JUNJI;  TSUKIJI, NAOKI
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Effects of ion irradiation on the diffusion of pre-implanted B atoms in crystalline silicon 期刊论文
HIGH ENERGY PHYSICS AND NUCLEAR PHYSICS-CHINESE EDITION, 2001, 卷号: 25, 期号: 1, 页码: 1238-1244
作者:  Sealy, BJ;  Liu, CL;  Nejim, A;  Gwilliam, RM
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Radiative recombination characteristics in gaas multilayer n(+)-i interfaces 期刊论文
Journal of applied physics, 2001, 卷号: 90, 期号: 10, 页码: 5444-5446
作者:  Shen, WZ;  Jiang, LF;  Yu, G;  Lai, ZY;  Wang, XG
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Effect of Sn-doping on photocatalytic activity of TiO2 film for degradation of phenol 期刊论文
CHEMICAL JOURNAL OF CHINESE UNIVERSITIES-CHINESE, 2001, 卷号: 22, 期号: 11, 页码: 1910-1912
作者:  Cao, YA;  Shen, DF;  Zhang, XT;  Meng, QJ;  Ma, Y
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Synthesis, characterization, and electrical properties of nanostructural polyaniline doped with novel sulfonic acids (4-{n-[4-(4-nitrophenylazo)phenyloxy]alkyl}aminobenzene sulfonic acid) 期刊论文
JOURNAL OF POLYMER SCIENCE PART A-POLYMER CHEMISTRY, 2001, 卷号: 39, 期号: 20, 页码: 3485-3497
作者:  Qiu, HJ;  Wan, MX
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Effects of zinc(II) and iron(III) doping of titania films on their photoreactivity to decompose rhodamine B 期刊论文
JOURNAL OF MATERIALS RESEARCH, 2001, 卷号: 16, 期号: 10, 页码: 2928-2933
作者:  Ma, Y;  Zhang, XT;  Guan, ZS;  Cao, YA;  Yao, JN
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Semiconductor laser device 专利
专利号: US6285699, 申请日期: 2001-09-04, 公开日期: 2001-09-04
作者:  NAITO, YUMI;  OKADA, SATORU;  FUJIMOTO, TSUYOSHI
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Semiconductor laser, optical module using semiconductor laser and optical communication system 专利
专利号: US20010012306A1, 申请日期: 2001-08-09, 公开日期: 2001-08-09
作者:  YAMAZAKI, HIROYUKI
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Ohmic contacts for p-type wide bandgap II-VI semiconductor materials 专利
专利号: US6265731, 申请日期: 2001-07-24, 公开日期: 2001-07-24
作者:  AHLGREN, WILLIAM L.
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