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共49条,第1-10条
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发表日期:1999
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85
90
95
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Room temperature 3-5 micrometer wavelength HgCdTe heterojunction emitter
专利
专利号: US5998809, 申请日期: 1999-12-07, 公开日期: 1999-12-07
作者:
CHEN, MEN-CHEE
;
BEVAN, MALCOLM J.
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2019/12/24
Synthesis of nanometric-size magnesium nitride by the nitriding of pre-activated magnesium powder
期刊论文
journal of materials science, 1999, 卷号: 34, 期号: 22, 页码: 5601-5604
作者:
Cui, S
;
Liao, SJ
;
Zhang, YK
;
Xu, Y
;
Miao, YF
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2010/11/30
Semiconductor laser device and manufacturing method thereof
专利
专利号: US5963572, 申请日期: 1999-10-05, 公开日期: 1999-10-05
作者:
HIROYAMA, RYOJI
;
UETANI, TAKAHIRO
;
OOTA, KIYOSHI
;
KOMEDA, KOJI
;
SHONO, MASAYUKI
收藏
  |  
浏览/下载:4/0
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提交时间:2020/01/18
Effect of si doping on cubic gan films grown on gaas(100)
期刊论文
Journal of crystal growth, 1999, 卷号: 206, 期号: 1-2, 页码: 150-154
作者:
Xu, DP
;
Yang, H
;
Li, JB
;
Li, SF
;
Wang, YT
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2019/05/12
Gan
Cubic
Hexagonal
Photoluminescence
Xrd
氮生长掺杂和离子注入掺杂CVD金刚石薄膜的场电子发射
期刊论文
半导体学报/Pan Tao Ti Hsueh Pao/Chinese Journal of Semiconductors, 1999, 卷号: 20, 期号: 9, 页码: 780-785
作者:
邵乐喜
;
谢二庆
;
路永刚
;
贺德衍
;
陈光华
收藏
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浏览/下载:5/0
  |  
提交时间:2015/04/27
离子注入掺杂:4985
CVD金刚石薄膜:4865
金刚石膜:3516
开启电压:3419
掺杂金刚石薄膜:3304
场发射理论:2419
氮离子注入:2019
发射电流:1760
发射性能:1331
场电子发射:1300
Field electron emission
Growth doping
氮离子注入CVD金刚石薄膜的场电子发射研究
期刊论文
功能材料, 1999, 期号: 04
邵乐喜
;
谢二庆
;
路永刚
;
贺德衍
;
陈光华
;
王志光
;
金远范
收藏
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2011/09/23
场电子发射
Cvd金刚石薄膜
离子注入
Semiconductor light emitting device
专利
专利号: US5943355, 申请日期: 1999-08-24, 公开日期: 1999-08-24
作者:
SANAKA, YUMI
;
IKEDA, MASAO
收藏
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浏览/下载:1/0
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提交时间:2020/01/18
Optical filter device
专利
专利号: US5930435, 申请日期: 1999-07-27, 公开日期: 1999-07-27
作者:
LAMING, RICHARD I.
;
LOH, WEI-HUNG
;
PAYNE, DAVID N.
;
ZERVAS, MICHAEL N.
收藏
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2019/12/24
集積された多量子井戸光子及び電子デバイス
专利
专利号: JP2928535B2, 申请日期: 1999-05-14, 公开日期: 1999-08-03
作者:
ディヴィッド アンドリュー バークレイ ミラー
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2019/12/24
Semiconductor light emitting device
专利
专利号: US5900642, 申请日期: 1999-05-04, 公开日期: 1999-05-04
作者:
NAKATSU, HIROSHI
;
NAKAMURA, JUN-ICHI
收藏
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2020/01/18
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