CORC

浏览/检索结果: 共49条,第1-10条 帮助

限定条件    
已选(0)清除 条数/页:   排序方式:
Room temperature 3-5 micrometer wavelength HgCdTe heterojunction emitter 专利
专利号: US5998809, 申请日期: 1999-12-07, 公开日期: 1999-12-07
作者:  CHEN, MEN-CHEE;  BEVAN, MALCOLM J.
收藏  |  浏览/下载:7/0  |  提交时间:2019/12/24
Synthesis of nanometric-size magnesium nitride by the nitriding of pre-activated magnesium powder 期刊论文
journal of materials science, 1999, 卷号: 34, 期号: 22, 页码: 5601-5604
作者:  Cui, S;  Liao, SJ;  Zhang, YK;  Xu, Y;  Miao, YF
收藏  |  浏览/下载:15/0  |  提交时间:2010/11/30
Semiconductor laser device and manufacturing method thereof 专利
专利号: US5963572, 申请日期: 1999-10-05, 公开日期: 1999-10-05
作者:  HIROYAMA, RYOJI;  UETANI, TAKAHIRO;  OOTA, KIYOSHI;  KOMEDA, KOJI;  SHONO, MASAYUKI
收藏  |  浏览/下载:4/0  |  提交时间:2020/01/18
Effect of si doping on cubic gan films grown on gaas(100) 期刊论文
Journal of crystal growth, 1999, 卷号: 206, 期号: 1-2, 页码: 150-154
作者:  Xu, DP;  Yang, H;  Li, JB;  Li, SF;  Wang, YT
收藏  |  浏览/下载:10/0  |  提交时间:2019/05/12
氮生长掺杂和离子注入掺杂CVD金刚石薄膜的场电子发射 期刊论文
半导体学报/Pan Tao Ti Hsueh Pao/Chinese Journal of Semiconductors, 1999, 卷号: 20, 期号: 9, 页码: 780-785
作者:  邵乐喜;  谢二庆;  路永刚;  贺德衍;  陈光华
收藏  |  浏览/下载:5/0  |  提交时间:2015/04/27
氮离子注入CVD金刚石薄膜的场电子发射研究 期刊论文
功能材料, 1999, 期号: 04
邵乐喜; 谢二庆; 路永刚; 贺德衍; 陈光华; 王志光; 金远范
收藏  |  浏览/下载:17/0  |  提交时间:2011/09/23
Semiconductor light emitting device 专利
专利号: US5943355, 申请日期: 1999-08-24, 公开日期: 1999-08-24
作者:  SANAKA, YUMI;  IKEDA, MASAO
收藏  |  浏览/下载:1/0  |  提交时间:2020/01/18
Optical filter device 专利
专利号: US5930435, 申请日期: 1999-07-27, 公开日期: 1999-07-27
作者:  LAMING, RICHARD I.;  LOH, WEI-HUNG;  PAYNE, DAVID N.;  ZERVAS, MICHAEL N.
收藏  |  浏览/下载:16/0  |  提交时间:2019/12/24
集積された多量子井戸光子及び電子デバイス 专利
专利号: JP2928535B2, 申请日期: 1999-05-14, 公开日期: 1999-08-03
作者:  ディヴィッド アンドリュー バークレイ ミラー
收藏  |  浏览/下载:5/0  |  提交时间:2019/12/24
Semiconductor light emitting device 专利
专利号: US5900642, 申请日期: 1999-05-04, 公开日期: 1999-05-04
作者:  NAKATSU, HIROSHI;  NAKAMURA, JUN-ICHI
收藏  |  浏览/下载:2/0  |  提交时间:2020/01/18


©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by CSpace