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	集積された多量子井戸光子及び電子デバイス
	ディヴィッド アンドリュー バークレイ ミラー
	1999-05-14
著作权人	エイ·ティ·アンド·ティ·コーポレーション
专利号	JP2928535B2
国家	日本
文献子类	授权发明
其他题名	集積された多量子井戸光子及び電子デバイス
英文摘要	PURPOSE: To fabricate an electronic device and a circuit in a common n-type layer by laminating n-type layers and thin semiconductor layers for forming an intrinsic MQW region alternately on a wafer and sequentially growing p-type layers, performing photolithographic patterning and then diffusing appropriate dopant into an n-type layer of MQW structure. CONSTITUTION: A doped semiconductor layer 10 is grown to include a p-type GaAs auxiliary butter layer and a subsequent p-type AlGaAs auxiliary layer. An intrinsic region 11 is then grown on the doped semiconductor layer 10 and a doped semiconductor layer 12 is grown to include an n-type GaAs auxiliary layer and a subsequent n -type GaAs auxiliary layer. Growth on a wafer is completed at that moment of time and then a source electrode 14 and a drain electrode 17 are formed, respectively, on heavily doped parts 13, 16. Finally, a lower electrode 21 is formed on the exposed side of the doped semiconductor layer 10 at least beneath the electronic device.
公开日期	1999-08-03
申请日期	1989-04-21
状态	失效
内容类型	专利
源URL	[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/42203]
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	エイ·ティ·アンド·ティ·コーポレーション
推荐引用方式 GB/T 7714	ディヴィッド アンドリュー バークレイ ミラー. 集積された多量子井戸光子及び電子デバイス. JP2928535B2. 1999-05-14.

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