集積された多量子井戸光子及び電子デバイス | |
ディヴィッド アンドリュー バークレイ ミラー | |
1999-05-14 | |
著作权人 | エイ·ティ·アンド·ティ·コーポレーション |
专利号 | JP2928535B2 |
国家 | 日本 |
文献子类 | 授权发明 |
其他题名 | 集積された多量子井戸光子及び電子デバイス |
英文摘要 | PURPOSE: To fabricate an electronic device and a circuit in a common n-type layer by laminating n-type layers and thin semiconductor layers for forming an intrinsic MQW region alternately on a wafer and sequentially growing p-type layers, performing photolithographic patterning and then diffusing appropriate dopant into an n-type layer of MQW structure. CONSTITUTION: A doped semiconductor layer 10 is grown to include a p-type GaAs auxiliary butter layer and a subsequent p-type AlGaAs auxiliary layer. An intrinsic region 11 is then grown on the doped semiconductor layer 10 and a doped semiconductor layer 12 is grown to include an n-type GaAs auxiliary layer and a subsequent n -type GaAs auxiliary layer. Growth on a wafer is completed at that moment of time and then a source electrode 14 and a drain electrode 17 are formed, respectively, on heavily doped parts 13, 16. Finally, a lower electrode 21 is formed on the exposed side of the doped semiconductor layer 10 at least beneath the electronic device. |
公开日期 | 1999-08-03 |
申请日期 | 1989-04-21 |
状态 | 失效 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/42203] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | エイ·ティ·アンド·ティ·コーポレーション |
推荐引用方式 GB/T 7714 | ディヴィッド アンドリュー バークレイ ミラー. 集積された多量子井戸光子及び電子デバイス. JP2928535B2. 1999-05-14. |
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