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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Breakdown enhancement of diamond Schottky barrier diodes using boron implanted edge terminations 期刊论文 DIAMOND AND RELATED MATERIALS, 2019, 卷号: 92, 页码: 146-149 作者:  Yu, Xinxin;  Zhou, Jianjun;  Wang, Yanfeng;  Qiu, Feng;  Kong, Yuechan 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/11/19 Diamond  Boron implant  Schottky diode  Edge termination   Positive Shift in Threshold Voltage Induced by CuO and NiOxGate in AlGaN/GaN HEMTs 期刊论文 IEEE Transactions on Electron Devices, 2017, 卷号: 64, 期号: 8 作者:  Wang, Jingli;  Zou, Xuming;  Zhang, Kai;  Guo, Yaxiong;  Li, Yi 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/12/05 Positive Shift in Threshold Voltage Induced by CuO and NiOx Gate in AlGaN/GaN HEMTs 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2017, 卷号: 64, 期号: 8 作者:  Li, Yi;  Guo, Yaxiong;  Zhang, Kai;  Zou, Xuming;  Wang, Jingli 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/12/05 AlGaN/GaN  CuO gate  NiOx gate  p-type metal oxide  threshold voltage   Positive Shift in Threshold Voltage Induced by CuO and NiOxGate in AlGaN/GaN HEMTs 期刊论文 IEEE Transactions on Electron Devices, 2017, 卷号: 64, 期号: 8 作者:  Li, Yi;  Guo, Yaxiong;  Zhang, Kai;  Zou, Xuming;  Wang, Jingli 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/12/05 Positive Shift in Threshold Voltage Induced by CuO and NiOₓ Gate in AlGaN/GaN HEMTs 期刊论文 IEEE Transactions on Electron Devices, 2017, 页码: 1-6 作者:  Yi Li;  Yaxiong Guo;  Kai Zhang;  Xuming Zou;  Jingli Wang 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/12/31 Logic gates  HEMTs  MODFETs  Aluminum gallium nitride  Wide band gap semiconductors  Threshold voltage  AlGaN/GaN  CuO gate  NiOₓ  gate  p-type metal oxide  threshold voltage.   200 GHz Maximum Oscillation Frequency in CVD Graphene Radio Frequency Transistors 期刊论文 ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2016, 卷号: 8, 期号: 39 作者:  Wu, Yun;  Zou, Xuming;  Sun, Menglong;  Cao, Zhengyi;  Wang, Xinran 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/12/05 field-effect transistors  radio frequency  self-aligned  maximum oscillation frequency  parasitical resistance   Low Interface Trap Densities and Enhanced Performance of AlGaN/GaNMOS High-Electron Mobility Transistors Using Thermal Oxidized Y2O3 Interlayer 期刊论文 IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2015, 卷号: 36, 期号: 12 作者:  Liao, Chongnan;  Zou, Xuming;  Huang, Chun-Wei;  Wang, Jingli;  Zhang, Kai 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/12/05 AlGaN/GaN  metal-oxide-semiconductor HEMTs  Y2O3  interface engineering