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| 半導体レーザ装置およびその製造方法 专利
专利号: JP3080643B2, 申请日期: 2000-06-23, 公开日期: 2000-08-28
作者: 厚主 文弘; 猪口 和彦; 奥村 敏之; 滝口 治久
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| 半導体レーザ素子 专利
专利号: JP2755357B2, 申请日期: 1998-03-06, 公开日期: 1998-05-20
作者: 種谷 元隆; 工藤 裕章; 菅原 聰; 猪口 和彦; 中西 千登勢
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| 半導体レーザ素子及びその製造方法 专利
专利号: JP2547459B2, 申请日期: 1996-08-08, 公开日期: 1996-10-23
作者: 滝口 治久; 猪口 和彦; 厚主 文弘; 奥村 敏之; 坂根 千登勢
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| 半導体レーザ素子及びその製造方法 专利
专利号: JP2547458B2, 申请日期: 1996-08-08, 公开日期: 1996-10-23
作者: 中津 弘志; 猪口 和彦; 厚主 文弘; 奥村 敏之; 滝口 治久
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| 半導体レーザ素子及びその製造方法 专利
专利号: JP1996034334B2, 申请日期: 1996-03-29, 公开日期: 1996-03-29
作者: 厚主 文弘; 中津 弘志; 猪口 和彦; 奥村 敏之; 関 章憲
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| 分布帰還型半導体レーザ素子の製造方法 专利
专利号: JP1993037070A, 申请日期: 1993-02-12, 公开日期: 1993-02-12
作者: 種谷 元隆; 猪口 和彦; 工藤 裕章; 中西 千登勢; 菅原 聰
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