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	分布帰還型半導体レーザ素子の製造方法
	種谷 元隆; 猪口 和彦; 工藤 裕章; 中西 千登勢; 菅原 聰; 滝口 治久
	1993-02-12
著作权人	シヤープ株式会社
专利号	JP1993037070A
国家	日本
文献子类	发明申请
其他题名	分布帰還型半導体レーザ素子の製造方法
英文摘要	【目的】 平坦な光ガイド層の全面に回折格子を印刻し,かつ電流注入路および光導波路を自己整合的に形成することにより,高出力まで安定に基本横モードで発振する分布帰還型半導体レーザ素子を歩留りよく簡便に製造する。 【構成】 第1の結晶成長工程により,半導体基板100上に,第1クラッド層101,活性層102,光ガイド層103などを順次形成する。光ガイド層103の表面上に回折格子104を印刻する。第2の結晶成長工程により,回折格子104の印刻された光ガイド層103上に,第2クラッド層105を形成する。第2クラッド層105を選択的にエッチングして,メサストライプ106を形成する。第3の結晶成長工程により,メサストライプ106の両側における光ガイド層103上に電流阻止層107を形成し,次いでメサストライプ106の上面を含む全面にコンタクト層108を形成する。
公开日期	1993-02-12
申请日期	1991-07-26
状态	失效
内容类型	专利
源URL	[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89674]
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	シヤープ株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	種谷 元隆,猪口 和彦,工藤 裕章,等. 分布帰還型半導体レーザ素子の製造方法. JP1993037070A. 1993-02-12.

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