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| 半导体器件及其制造方法 专利
专利号: CN201210293525.X, 申请日期: 2018-09-14, 公开日期: 2014-02-19
作者: 马小龙; 殷华湘 ; 付作振
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| 堆叠纳米线MOS晶体管制作方法 专利
专利号: CN201210392511.3, 申请日期: 2018-07-31, 公开日期: 2014-04-16
作者: 殷华湘; 秦长亮; 付作振; 马小龙; 陈大鹏
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| 堆叠纳米线MOS晶体管制作方法 专利
专利号: US9892912, 申请日期: 2018-02-13, 公开日期: 2015-08-13
作者: 殷华湘; 秦长亮; 付作振; 马小龙; 陈大鹏
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| 半导体器件制造方法 专利
专利号: CN201210293349.X, 申请日期: 2018-02-13, 公开日期: 2014-02-19
作者: 马小龙; 殷华湘; 付作振
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| 双金属栅极CMOS器件及其制造方法 专利
专利号: US9384986, 申请日期: 2016-07-05, 公开日期: 2013-10-31
作者: 殷华湘; 付作振; 徐秋霞; 陈大鹏
收藏 | 浏览/下载：10/0 | 提交时间：2017/06/13 |
| 半导体器件及其制造方法 专利
专利号: CN201210067446.7, 申请日期: 2016-03-30, 公开日期: 2013-09-18
作者: 赵超; 殷华湘; 付作振; 徐秋霞; 陈大鹏
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| 双金属栅极CMOS器件及其制造方法 专利
专利号: CN201210129587.7, 申请日期: 2015-10-14, 公开日期: 2013-10-30
作者: 殷华湘; 付作振; 徐秋霞; 陈大鹏
收藏 | 浏览/下载：7/0 | 提交时间：2016/09/18 |
| Structure design and film process optimization for metal-gate stress in 20 nm nMOS devices 期刊论文
Journal of Semiconductors, 2013
作者: Yin HX(殷华湘); Fu ZZ(付作振); Ma XL(马小龙)
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| 纳米级CMOS器件应力金属栅工程及结构优化研究 学位论文
: 中国科学院大学, 2013
作者: 付作振
收藏 | 浏览/下载：11/0 | 提交时间：2017/10/13 |
| Synapse PACS与银医卡的集成与应用 会议论文
2013中华医学会影像技术分会第21次全国学术大会暨国际影像技术论坛, 北京, 2013-08-15
作者: 付海鸿; 牟文斌; 徐晓磊; 李维作; 王振
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