半导体器件制造方法

	半导体器件制造方法
	马小龙; 殷华湘; 付作振
	2018-02-13
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN201210293349.X
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	本发明公开了一种高迁移率材料层制造方法，包括：在衬底中和/或上形成多种前驱物；脉冲激光处理，使得多种前驱物相互反应形成高迁移率材料层。此外还提供了一种半导体器件制造方法，包括：在绝缘衬底上形成缓冲层；采用上述高迁移率材料层制造方法，在缓冲层上形成第一高迁移率材料层；采用上述高迁移率材料层制造方法，在第一高迁移率材料层上形成第二高迁移率材料层；在第一和第二高迁移率材料层中形成沟槽隔离并定义有源区。依照本发明的半导体器件制造方法，通过调整激光处理的脉冲个数和能量密度，在绝缘衬底上分多次形成了多层高迁移率材料以用作器件沟道区，有效提高了器件载流子迁移率并进一步提高了器件驱动能力。
公开日期	2014-02-19
申请日期	2012-08-16
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://159.226.55.107/handle/172511/18759]
专题	微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	马小龙,殷华湘,付作振. 半导体器件制造方法. CN201210293349.X. 2018-02-13.