半导体器件制造方法 | |
马小龙; 殷华湘![]() | |
2018-02-13 | |
著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
专利号 | CN201210293349.X |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明专利 |
英文摘要 | 本发明公开了一种高迁移率材料层制造方法,包括:在衬底中和/或上形成多种前驱物;脉冲激光处理,使得多种前驱物相互反应形成高迁移率材料层。此外还提供了一种半导体器件制造方法,包括:在绝缘衬底上形成缓冲层;采用上述高迁移率材料层制造方法,在缓冲层上形成第一高迁移率材料层;采用上述高迁移率材料层制造方法,在第一高迁移率材料层上形成第二高迁移率材料层;在第一和第二高迁移率材料层中形成沟槽隔离并定义有源区。依照本发明的半导体器件制造方法,通过调整激光处理的脉冲个数和能量密度,在绝缘衬底上分多次形成了多层高迁移率材料以用作器件沟道区,有效提高了器件载流子迁移率并进一步提高了器件驱动能力。 |
公开日期 | 2014-02-19 |
申请日期 | 2012-08-16 |
语种 | 中文 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://159.226.55.107/handle/172511/18759] ![]() |
专题 | 微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心 |
作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 马小龙,殷华湘,付作振. 半导体器件制造方法. CN201210293349.X. 2018-02-13. |
个性服务 |
查看访问统计 |
相关权益政策 |
暂无数据 |
收藏/分享 |
除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。
修改评论