堆叠纳米线MOS晶体管制作方法

	堆叠纳米线MOS晶体管制作方法
	殷华湘; 秦长亮; 付作振; 马小龙; 陈大鹏
	2018-07-31
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN201210392511.3
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	本发明公开了一种堆叠纳米线MOS晶体管制作方法，包括：在衬底上形成沿第一方向延伸的多个鳍片；在每个鳍片中形成由多个纳米线构成的纳米线堆叠；在纳米线堆叠上形成沿第二方向延伸的栅极堆叠结构，栅极堆叠结构环绕包围纳米线堆叠；在栅极堆叠结构两侧形成源漏区，源漏区之间的纳米线构成沟道区。依照本发明的堆叠纳米线MOS晶体管及其制作方法，通过多次回刻、侧向腐蚀沟槽并填充，形成了质量良好的纳米线堆叠。侧向腐蚀工艺方法包括包含内切横向刻蚀量的各向同性干法刻蚀，或者沿各晶向选择腐蚀的湿法腐蚀方法。本方法以较低的成本充分增大导电沟道有效宽度从而提高驱动电流。
公开日期	2014-04-16
申请日期	2012-10-16
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://159.226.55.107/handle/172511/18820]
专题	微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	殷华湘,秦长亮,付作振,等. 堆叠纳米线MOS晶体管制作方法. CN201210392511.3. 2018-07-31.