堆叠纳米线MOS晶体管制作方法 | |
殷华湘![]() ![]() | |
2018-07-31 | |
著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
专利号 | CN201210392511.3 |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明专利 |
英文摘要 | 本发明公开了一种堆叠纳米线MOS晶体管制作方法,包括:在衬底上形成沿第一方向延伸的多个鳍片;在每个鳍片中形成由多个纳米线构成的纳米线堆叠;在纳米线堆叠上形成沿第二方向延伸的栅极堆叠结构,栅极堆叠结构环绕包围纳米线堆叠;在栅极堆叠结构两侧形成源漏区,源漏区之间的纳米线构成沟道区。依照本发明的堆叠纳米线MOS晶体管及其制作方法,通过多次回刻、侧向腐蚀沟槽并填充,形成了质量良好的纳米线堆叠。侧向腐蚀工艺方法包括包含内切横向刻蚀量的各向同性干法刻蚀,或者沿各晶向选择腐蚀的湿法腐蚀方法。本方法以较低的成本充分增大导电沟道有效宽度从而提高驱动电流。 |
公开日期 | 2014-04-16 |
申请日期 | 2012-10-16 |
语种 | 中文 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://159.226.55.107/handle/172511/18820] ![]() |
专题 | 微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心 |
作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 殷华湘,秦长亮,付作振,等. 堆叠纳米线MOS晶体管制作方法. CN201210392511.3. 2018-07-31. |
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