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| 半导体发光器件 专利
专利号: CN1248322C, 申请日期: 2006-03-29, 公开日期: 2006-03-29
作者: 仓桥孝尚; 村上哲朗; 大山尚一; 中津弘志
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| 半导体激光器件 专利
专利号: CN1610197A, 申请日期: 2005-04-27, 公开日期: 2005-04-27
作者: 滨冈治; 中津弘志; 市川英树
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| 半导体发光器件以及制造半导体发光器件的方法 专利
专利号: CN1497746A, 申请日期: 2004-05-19, 公开日期: 2004-05-19
作者: 仓桥孝尚; 中津弘志; 村上哲朗; 大山尚一
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| 半導体発光素子及びその製造方法 专利
专利号: JP1999074557A, 申请日期: 1999-03-16, 公开日期: 1999-03-16
作者: 細羽 弘之; 中村 淳一; 中津 弘志; 倉橋 孝尚; 村上 哲朗
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| 半導体発光素子及びその製造方法 专利
专利号: JP2856374B2, 申请日期: 1998-11-27, 公开日期: 1999-02-10
作者: 中津 弘志; 佐々木 和明; 山本 修; 山本 三郎
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| 半導体発光素子の製造方法 专利
专利号: JP1996316577A, 申请日期: 1996-11-29, 公开日期: 1996-11-29
作者: ▲高▼橋 向星; 中津 弘志
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| 半導体レーザの製造方法 专利
专利号: JP2554192B2, 申请日期: 1996-08-22, 公开日期: 1996-11-13
作者: 瀧口 治久; 中津 弘志; 猪口 和彦; 厚主 文弘; 坂根 千登勢
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| 半導体レーザ素子及びその製造方法 专利
专利号: JP2547459B2, 申请日期: 1996-08-08, 公开日期: 1996-10-23
作者: 滝口 治久; 猪口 和彦; 厚主 文弘; 奥村 敏之; 坂根 千登勢
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| 半導体レーザ素子及びその製造方法 专利
专利号: JP2547458B2, 申请日期: 1996-08-08, 公开日期: 1996-10-23
作者: 中津 弘志; 猪口 和彦; 厚主 文弘; 奥村 敏之; 滝口 治久
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| 半導体レーザ素子及びその製造方法 专利
专利号: JP1996034334B2, 申请日期: 1996-03-29, 公开日期: 1996-03-29
作者: 厚主 文弘; 中津 弘志; 猪口 和彦; 奥村 敏之; 関 章憲
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