| 半導体発光素子及びその製造方法 | |
| 細羽 弘之; 中村 淳一; 中津 弘志; 倉橋 孝尚; 村上 哲朗 | |
| 1999-03-16 | |
| 著作权人 | シャープ株式会社 |
| 专利号 | JP1999074557A |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 発光効率、信頼性及び応答特性の高い半導体発光素子を得る。 【解決手段】 GaAs基板1上に、AlGaInP系材料からなる第1クラッド層3、活性層4及び第2クラッド層5が設けられている。活性層4はp型であり、そのキャリア濃度が1×1017cm-3より大きく3×1018cm-3以下である。 |
| 公开日期 | 1999-03-16 |
| 申请日期 | 1997-08-29 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88420]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | シャープ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 細羽 弘之,中村 淳一,中津 弘志,等. 半導体発光素子及びその製造方法. JP1999074557A. 1999-03-16. |
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