已选(0)清除
条数/页: 排序方式:
|
| 激光源模块 专利 专利号: CN101960681A, 申请日期: 2011-01-26, 公开日期: 2011-01-26 作者: 玉谷基亮; 亿田宪治; 难波知世; 中村聪; 相泽淳一
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:12/0  |  提交时间:2019/12/31 |
| 半導体レーザ 专利 专利号: JP2009194304A, 申请日期: 2009-08-27, 公开日期: 2009-08-27 作者: 中村 淳一
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:4/0  |  提交时间:2020/01/18 |
| 半导体制造方法及半导体激光元件制造方法 专利 专利号: CN100511590C, 申请日期: 2009-07-08, 公开日期: 2009-07-08 作者: 山本圭; 中村淳一
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:11/0  |  提交时间:2019/12/26 |
| 化合物半导体层和发光元件的制造方法及汽相生长设备 专利 专利号: CN100347821C, 申请日期: 2007-11-07, 公开日期: 2007-11-07 作者: 中村淳一; 佐佐木和明
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:10/0  |  提交时间:2019/12/26 |
| 半導体発光素子の製造方法 专利 专利号: JP3653408B2, 申请日期: 2005-03-04, 公开日期: 2005-05-25 作者: 佐々木 和明; 中村 淳一; 大山 尚一
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:36/0  |  提交时间:2020/01/18 |
| 半導体発光素子及びその製造方法 专利 专利号: JP1999074557A, 申请日期: 1999-03-16, 公开日期: 1999-03-16 作者: 細羽 弘之; 中村 淳一; 中津 弘志; 倉橋 孝尚; 村上 哲朗
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:29/0  |  提交时间:2020/01/18 |
| 化合物半導体素子及びその製造方法 专利 专利号: JP1998163524A, 公开日期: 1998-06-19 作者: 細羽 弘之; 中村 淳一; 倉橋 孝尚
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:9/0  |  提交时间:2019/12/26 |