| 半導体レーザ | |
| 中村 淳一 | |
| 2009-08-27 | |
| 著作权人 | SHARP CORP |
| 专利号 | JP2009194304A |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【課題】互いに波長が異なる複数のレーザ光を出射できると共に、製造コストを低減することができる半導体レーザを提供する。 【解決手段】n型GaAs基板1上には結晶成長工程で第1,第2のダブルへテロ構造が形成されている。第1,第2のダブルへテロ構造はn型AlGaInP第1クラッド層3を共有する。第1のダブルへテロ構造は、AlGaAs系MQW活性層5およびp型AlGaInP第2クラッド層6を有する。第2のダブルへテロ構造は、AlGaInP系MQW活性層12およびp型AlGaInP第4クラッド層13を有する。AlGaAs系MQW活性層5とAlGaInP系MQW活性層12とは、層厚、材料およびキャリア濃度が互いに異なっている。 【選択図】図6 |
| 公开日期 | 2009-08-27 |
| 申请日期 | 2008-02-18 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88677]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SHARP CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 中村 淳一. 半導体レーザ. JP2009194304A. 2009-08-27. |
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