| 半導体発光素子の製造方法 | |
| 佐々木 和明; 中村 淳一; 大山 尚一 | |
| 2005-03-04 | |
| 著作权人 | シャープ株式会社 |
| 专利号 | JP3653408B2 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体発光素子の製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 結晶欠陥を低減でき、素子特性を向上できる半導体発光素子の製造方法を提供する【解決手段】 n-AlGaInPクラッド層3を成長すべき第2温度よりも高い第1温度の基板温度で、n-GaAs基板1上にn-GaAsバッファ層2を成長させる。この結果、n-GaAs基板1およびn-GaAsバッファ層2を構成するGaのマイグレーションが促進され、結晶欠陥が減少する。また、n-GaAs基板1、基板保持具12および基板保持具12周辺の部材に付着してした酸素を蒸発させてからn-AlGaInPクラッド層3を成長させるので、発光層の成長時にn-GaAs基板1、基板保持具12および基板保持具12周辺の部材から酸素が蒸発しない。したがって、非発光再結合中心を形成する酸素がn-AlGaInPクラッド層3に入り込むのを防止できる。 |
| 公开日期 | 2005-05-25 |
| 申请日期 | 1999-01-21 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89640]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | シャープ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 佐々木 和明,中村 淳一,大山 尚一. 半導体発光素子の製造方法. JP3653408B2. 2005-03-04. |
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