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| 激光源模块 专利
专利号: CN101960681A, 申请日期: 2011-01-26, 公开日期: 2011-01-26
作者: 玉谷基亮; 亿田宪治; 难波知世; 中村聪; 相泽淳一
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| 半導体レーザ 专利
专利号: JP2009194304A, 申请日期: 2009-08-27, 公开日期: 2009-08-27
作者: 中村 淳一
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| 半导体制造方法及半导体激光元件制造方法 专利
专利号: CN100511590C, 申请日期: 2009-07-08, 公开日期: 2009-07-08
作者: 山本圭; 中村淳一
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| 化合物半导体层和发光元件的制造方法及汽相生长设备 专利
专利号: CN100347821C, 申请日期: 2007-11-07, 公开日期: 2007-11-07
作者: 中村淳一; 佐佐木和明
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| 半導体発光素子の製造方法 专利
专利号: JP3653408B2, 申请日期: 2005-03-04, 公开日期: 2005-05-25
作者: 佐々木 和明; 中村 淳一; 大山 尚一
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| 半導体発光素子及びその製造方法 专利
专利号: JP1999074557A, 申请日期: 1999-03-16, 公开日期: 1999-03-16
作者: 細羽 弘之; 中村 淳一; 中津 弘志; 倉橋 孝尚; 村上 哲朗
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| 化合物半導体素子及びその製造方法 专利
专利号: JP1998163524A, 公开日期: 1998-06-19
作者: 細羽 弘之; 中村 淳一; 倉橋 孝尚
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