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| 应变半导体沟道形成方法和半导体器件 专利
专利号: CN201010244987.3, 申请日期: 2014-02-12, 公开日期: 2012-02-08
作者: 朱慧珑 ; 尹海洲; 骆志炯
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| 应变硅n-MOSFET中电子迁移率的增强及其温度特性 期刊论文
2010, 2010
张侃; 梁仁荣; 徐阳; 许军; ZHANG Kan; LIANG Renrong; XU Yang; XU Jun
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| 采用SiGe虚拟衬底高迁移率应变硅材料的制备和表征(英文) 期刊论文
2010, 2010
梁仁荣; 张侃; 杨宗仁; 徐阳; 王敬; 许军; Liang Renrong; Zhang Kan; Yang Zongren; Xu Yang; Wang Jing; Xu Jun
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| 多层复合结构应变硅材料的生长和特性 期刊论文
2010, 2010
梁仁荣; 王敬; 徐阳; 许军; 李志坚; LIANG Renrong; WANG Jing; XU Yang; XU Jun; LI Zhijian
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| 纳米CMOS电路的应变Si衬底制备技术 期刊论文
2010, 2010
陈长春; 刘江锋; 余本海; 戴启润; 刘志弘; CHEN Chang-chun; LIU Jiang-feng; YU Ben-hai; DAI Qi-run; LIU Zhi-hong
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| Si基SiGe、Ge弛豫衬底生长及其Ge光电探测器研制 学位论文
2009, 2009
周志文
收藏 | 浏览/下载：4/0 | 提交时间：2016/02/14
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| Si基SiGe弛豫衬底及SiGe/Si量子阱生长与表征 学位论文
2009, 2009
廖凌宏
收藏 | 浏览/下载：5/0 | 提交时间：2016/02/14
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| Si_(0.75)Ge_(0.25)虚衬底上应变补偿Si/Si_(0.62)Ge_(0.38)量子阱发光 期刊论文
2009
廖凌宏; 周志文; 李成; 陈松岩; 赖虹凯; 余金中; 王启明
收藏 | 浏览/下载：3/0 | 提交时间：2016/05/17
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| 一种SiGe弛豫衬底材料及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11, 2010-10-15
赵雷; 左玉华; 王启明
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| 一种SiGe弛豫衬底材料及其制备方法 专利
专利号: CN101207093A, 申请日期: 2008-06-25, 公开日期: 2008-06-25
作者: 赵雷; 左玉华; 王启明
收藏 | 浏览/下载：12/0 | 提交时间：2020/01/18 |
