一种SiGe弛豫衬底材料及其制备方法
赵雷 ; 左玉华 ; 王启明
2008-06-25
专利类型发明
英文摘要Submitted by zhangdi (zhangdi@red.semi.ac.cn) on 2009-06-04T08:36:34Z No. of bitstreams: 1 dspace.cfg: 33388 bytes, checksum: ac9630d3fdb36a155287a049e8b34eb7 (MD5); Made available in DSpace on 2009-06-04T08:36:35Z (GMT). No. of bitstreams: 1 dspace.cfg: 33388 bytes, checksum: ac9630d3fdb36a155287a049e8b34eb7 (MD5) Previous issue date: 2008-08; Made available in DSpace on 2009-06-11T08:58:28Z (GMT). No. of bitstreams: 1 full/CN200610165551.9.pdf: 783919 bytes, checksum: a6b96bcf2f3bc6d943d9810931cc5f97 (MD5) Previous issue date:
公开日期2009-06-04 ; 2009-06-11 ; 2010-10-15
申请日期2006-12-21
语种中文
专利申请号CN200610165551.9
内容类型专利
源URL[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/4175]  
专题半导体研究所_中国科学院半导体研究所(2009年前)
推荐引用方式
GB/T 7714
赵雷,左玉华,王启明. 一种SiGe弛豫衬底材料及其制备方法. 2008-06-25.
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