应变半导体沟道形成方法和半导体器件

	应变半导体沟道形成方法和半导体器件
	朱慧珑; 尹海洲; 骆志炯
	2014-02-12
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN201010244987.3
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	本发明提出了一种应变半导体沟道形成方法，包括以下步骤：在半导体衬底上形成SiGe弛豫层；在所述SiGe弛豫层上形成电介质层，在所述电介质层上形成替代栅，所述电介质层和所述替代栅构成了替代栅结构；沉积层间介电层，对所述层间介电层进行平坦化处理，以暴露出所述替代栅；刻蚀去除所述替代栅和所述电介质层，以形成开口；在所述开口中执行选择性半导体外延生长，形成半导体外延层；沉积高K介电层和金属层；以及对所沉积的金属层和高K介电层执行平坦化处理，去除覆盖在所述层间介电层上的高K介电层和金属层，形成金属栅。本发明还提出了一种通过上述工艺制造的半导体器件。
公开日期	2012-02-08
申请日期	2010-08-04
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://10.10.10.126/handle/311049/12136]
专题	微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	朱慧珑,尹海洲,骆志炯. 应变半导体沟道形成方法和半导体器件. CN201010244987.3. 2014-02-12.