| 题名 | Si基SiGe弛豫衬底及SiGe/Si量子阱生长与表征; Growth and Characterization of Si-based Strain Relaxed SiGe Substrate and SiGe/Si Quantum Wells |
| 作者 | 廖凌宏 |
| 答辩日期 | 2009 ; 2009 |
| 导师 | 李成 |
| 关键词 | UHV/CVD系统 SiGe弛豫衬底 低温Ge层 SiGe/Si量子阱 UHV/CVD system strain relaxed SiGe buffer LT Ge layer SiGe quantum wells |
| 英文摘要 | 近年来,Si基光电子学得到快速的发展，由于硅基光电子器件具有低成本，与微电子工艺兼容等诸多优点,成为未来实现高速光互连芯片的关键技术之一。为了实现Si基光电子器件的单片集成，希望能突破Si基材料间接带隙特性的局限，制备出有效的Si基光源。SiGe/Si量子阱在光学和电学上表现出许多新的特性，通过量子限制效应以及弛豫衬底技术调控应变等方法剪裁能带，有望获得高效发光Si基量子结构材料，推动Si基光电器件的进一步发展。 本文利用超高真空化学气相沉积系统（UHV/CVD），采用插入低温Ge层（LTGe）的方法制备Si基SiGe弛豫衬底（弛豫缓冲层），并在衬底上外延SiGe/Si多量子阱，研究其光学性...; In recent years, Si-based optoelectronics have made significant progress for Si-based optoelectronic devices have many advantages such as a low cost, compatible with micro-electronics technology and so on. It will become one of the most important technologies in the optical interconnection chip in future. To realize a single chip integration of Si-based optoelectronic devices, it is hoped to overc...; 学位：理学硕士; 院系专业：物理与机电工程学院物理学系_凝聚态物理; 学号：19820061151788 |
| 语种 | zh_CN |
| 出处 | http://210.34.4.13:8080/lunwen/detail.asp?serial=22335 |
| 内容类型 | 学位论文 |
| 源URL | [http://dspace.xmu.edu.cn/handle/2288/54765]  |
| 专题 | 物理技术－学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 廖凌宏. Si基SiGe弛豫衬底及SiGe/Si量子阱生长与表征, Growth and Characterization of Si-based Strain Relaxed SiGe Substrate and SiGe/Si Quantum Wells[D]. 2009, 2009. |
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