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Comparison of dynamical features between the fast H-L and the H-I-L transition for EAST RF-heated plasmas
期刊论文
PHYSICA SCRIPTA, 2022, 卷号: 97
作者:
Chen, Liang
;
Xu, Guosheng
;
Shao, Lingming
;
Gao, Wei
;
Wang, Yifeng
收藏
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浏览/下载:47/0
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提交时间:2022/02/14
H-L transition
I-phase
mean E x B flow
diamagnetic flows
divertor recycling
High-voltage vertical GaN-on-GaN Schottky barrier diode using fluorine ion implantation treatment
期刊论文
AIP ADVANCES, 2019, 卷号: 9, 期号: 5
作者:
Liu, Zirui
;
Wang, Jianfeng
;
Gu, Hong
;
Zhang, Yumin
;
Wang, Weifan
收藏
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浏览/下载:111/0
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提交时间:2019/12/26
Research on image denoising algorithm based on improved anisotropic diffusion synthetic aperture radar
会议论文
Chengdu, China, 2018-12-12
作者:
Xin, Hongqiang
;
Feng, Liangjie
收藏
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浏览/下载:43/0
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提交时间:2019/06/28
Anisotropic diffusion
SAR image
speckle noise
P-M model
diffusion coefficient
Breakdown enhancement of diamond Schottky barrier diodes using boron implanted edge terminations
期刊论文
DIAMOND AND RELATED MATERIALS, 2019, 卷号: 92, 页码: 146-149
作者:
Yu, Xinxin
;
Zhou, Jianjun
;
Wang, Yanfeng
;
Qiu, Feng
;
Kong, Yuechan
收藏
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2019/11/19
Diamond
Boron implant
Schottky diode
Edge termination
High-Voltage -Ga2O3 Schottky Diode with Argon-Implanted Edge Termination
期刊论文
NANOSCALE RESEARCH LETTERS, 2019, 卷号: Vol.14
作者:
Gao, Yangyang
;
Li, Ang
;
Feng, Qian
;
Hu, Zhuangzhuang
;
Feng, Zhaoqing
收藏
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浏览/下载:8/0
  |  
提交时间:2019/12/17
Ga2O3 Schottky diode
Argon implantation
Edge termination
High-Voltage β-Ga 2 O 3 Schottky Diode with Argon-Implanted Edge Termination
期刊论文
Nanoscale Research Letters, 2019, 卷号: 14
作者:
Gao Y.
;
Li A.
;
Feng Q.
;
Hu Z.
;
Feng Z.
收藏
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2019/12/11
Argon implantation
Edge termination
β-Ga 2 O 3 Schottky diode
High-Voltage β-Ga2O3 Schottky Diode with Argon-Implanted Edge Termination
期刊论文
Nanoscale Research Letters, 2019, 卷号: 14
作者:
Gao, Yangyang
;
Li, Ang
;
Feng, Qian
;
Hu, Zhuangzhuang
;
Feng, Zhaoqing
收藏
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浏览/下载:8/0
  |  
提交时间:2019/12/11
High-Voltage -Ga2O3 Schottky Diode with Argon-Implanted Edge Termination
期刊论文
NANOSCALE RESEARCH LETTERS, 2019, 卷号: 14
作者:
Gao, Yangyang
;
Li, Ang
;
Feng, Qian
;
Hu, Zhuangzhuang
;
Feng, Zhaoqing
收藏
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2019/12/11
-Ga2O3 Schottky diode
Argon implantation
Edge termination
High-Voltage β-GaO Schottky Diode with Argon-Implanted Edge Termination
期刊论文
Nanoscale Research Letters, 2019, 卷号: Vol.14 No.1
作者:
Yangyang Gao
;
Ang Li
;
Qian Feng
;
Zhuangzhuang Hu
;
Zhaoqing Feng
收藏
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2019/12/13
β-Ga2O3
Schottky
diode
Argon
implantation
Edge
termination
A Novel System Decomposition Method Based on Pearson Correlation and Graph Theory
会议论文
Enshi, PEOPLES R CHINA, MAY 25-27, 2018
作者:
Jin, Jing
;
Li LJ(李丽娟)
;
Zou T(邹涛)
;
Zhang, Shu
收藏
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2018/12/16
System decomposition
Pearson correlation
graph theory
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