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一种基于BCB键合工艺的混合集成激光器及其制作方法 专利
专利号: CN102904159A, 申请日期: 2013-01-30, 公开日期: 2013-01-30
作者:  盛振;  王智琪;  甘甫烷;  武爱民;  王曦
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石墨烯应用探索研讨会 期刊论文
集成电路应用, 2013, 卷号: 第10期, 页码: 25
作者:  SICA
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深亚微米闪存分立器件的总剂量辐射效应及加固技术研究 学位论文
博士: 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所）  , 2012
刘张李
收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2013/04/24
0.18 微米嵌入式闪存总剂量辐射效应研究 学位论文
博士: 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所）  , 2012
胡志远
收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2013/04/24
深亚微米器件沟道长度对总剂量辐照效应的影响 期刊论文
物理学报, 2012, 期号: 5, 页码: 92-96
胡志远; 刘张李; 邵华; 张正选; 宁冰旭; 毕大炜; 陈明; 邹世昌
收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2013/02/22
0.18μm MOSFET器件的总剂量辐照效应 期刊论文
物理学报, 2011, 期号: 11
刘张李; 胡志远; 张正选; 邵华; 宁冰旭; 毕大炜; 陈明; 邹世昌
收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2012/04/13
Impact of within-wafer process variability on radiation response 期刊论文
MICROELECTRONICS JOURNAL, 2011, 卷号: 42, 期号: 6, 页码: 883-888
Hu,ZY; Liu,ZL; Shao,H; Zhang,ZX; Ning,BX; Chen,M; Bi,DW; Zou,SC
收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2012/04/10
Radiation induced inter-device leakage degradation 期刊论文
CHINESE PHYSICS C, 2011, 卷号: 35, 期号: 8, 页码: 769-773
Hu,ZY; Liu,ZL; Shao,H; Zhang,ZX; Ning,BX; Chen,M; Bi,DW; Zou,SC
收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2012/04/10
Enhanced Total Ionizing Dose Susceptibility in Narrow Channel Devices 期刊论文
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2011, 卷号: 28, 期号: 7, 页码: 70701
Liu,ZL; Hu,ZY; Zhang,ZX; Shao,H; Ning,BX; Bi,DW; Chen,M; Zou,SC
收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2012/04/10
Simulation Study of Novel Very-Shallow-Trench-Isolation Vertical Bipolar 'Transistors on PD SOI 期刊论文
CHINESE JOURNAL OF ELECTRONICS, 2011, 卷号: 20, 期号: 4, 页码: 612-616
Zhou,JH; Pang,SK; Zou,SC
收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2012/04/10

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