| 题名 | 0.18 微米嵌入式闪存总剂量辐射效应研究 |
| 作者 | 胡志远 |
| 学位类别 | 博士 |
| 答辩日期 | 2012-05-18 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） |
| 导师 | 邹世昌 |
| 关键词 | MOS器件 闪存单元 总剂量效应 浅沟槽隔离 |
| 其他题名 | Study of Total Ionizing Dose Radiation Effects for 0.18 μm Embedded Flash Technology |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 中文摘要 | 由于闪存存储器独有的快速编程、电学可擦除和高密度特性，它在过去数十年时间得到持续的增长。这些特性也使得闪存技术能很好的满足在空间环境应用中所需的非易失性存储。降低半导体器件的辐射效应是空间环境应用中最主要的挑战。辐射在绝缘层中引入俘获电荷，并进而使得器件的电学参数发生长期的退化。嵌入式闪存集成电路一般由用于存储的闪存单元和用于实现各种功能的逻辑电路组成。因此，研究闪存器件和它的控制电路的辐射效应，对评估闪存集成电路的可靠性和辐射加固具有重要的指导意义。 本论文全面研究了0.18 µm嵌入式闪存技术下的总剂 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2013-04-24 |
| 内容类型 | 学位论文 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/115008]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 胡志远. 0.18 微米嵌入式闪存总剂量辐射效应研究[D]. 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） . 2012. |
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