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	一种基于BCB键合工艺的混合集成激光器及其制作方法
	盛振; 王智琪; 甘甫烷; 武爱民; 王曦; 邹世昌
	2013-01-30
著作权人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所
专利号	CN102904159A
国家	中国
文献子类	发明申请
其他题名	一种基于BCB键合工艺的混合集成激光器及其制作方法
英文摘要	本发明提供一种基于BCB（苯并环丁烯）键合工艺的混合集成激光器及其制作方法，所述混合集成激光器包括具有硅衬底、埋氧层及硅波导结构的SOI基光波导芯片、BCB覆层、具有底接触层、有源层、隧道结及顶接触层的Ⅲ-Ⅴ族激光器外延层、贯穿所述Ⅲ-Ⅴ族激光器外延层、BCB覆层及埋氧层的热沉通孔、填充于所述热沉通孔内的多晶硅热沉；结合于所述Ⅲ-Ⅴ族激光器外延层表面且具有电极通孔的氮化硅隔离层以及电极结构。本发明采用BCB键合工艺实现了SOI硅基光波导芯片与Ⅲ-Ⅴ族激光器的单片集成，并且引入多晶硅热沉结构以提高激光器的性能。本发明可作为硅基光源器件，为硅基光集成芯片提供片上光源。
公开日期	2013-01-30
申请日期	2012-10-26
状态	授权
内容类型	专利
源URL	[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89973]
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院上海微系统与信息技术研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	盛振,王智琪,甘甫烷,等. 一种基于BCB键合工艺的混合集成激光器及其制作方法. CN102904159A. 2013-01-30.

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