0.18μm MOSFET器件的总剂量辐照效应

	0.18μm MOSFET器件的总剂量辐照效应
	刘张李 ; 胡志远 ; 张正选 ; 邵华 ; 宁冰旭 ; 毕大炜 ; 陈明 ; 邹世昌
刊名	物理学报
	2011
期号	11
关键词	总剂量效应浅沟槽隔离氧化层陷阱正电荷 MOSFET
ISSN号	1000-3290
中文摘要	对0.18μm metal-oxide-semiconductor field-effect-transistor(MOSFET)器件进行γ射线辐照实验,讨论分析器件辐照前后关态漏电流、阈值电压、跨导、栅电流、亚阈值斜率等特性参数的变化,研究深亚微米器件的总剂量效应.通过在隔离氧化物中引入等效陷阱电荷,三维模拟结果与实验结果符合很好.深亚微米器件栅氧化层对总剂量辐照不敏感,浅沟槽隔离氧化物是导致器件性能退化的主要因素.
语种	中文
公开日期	2012-04-13
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/106953]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	刘张李,胡志远,张正选,等. 0.18μm MOSFET器件的总剂量辐照效应[J]. 物理学报,2011(11).
APA	刘张李.,胡志远.,张正选.,邵华.,宁冰旭.,...&邹世昌.(2011).0.18μm MOSFET器件的总剂量辐照效应.物理学报(11).
MLA	刘张李,et al."0.18μm MOSFET器件的总剂量辐照效应".物理学报 .11(2011).