CORC

浏览/检索结果: 共16条,第1-10条 帮助

已选(0)清除 条数/页:   排序方式:
软击穿后的MOS器件的微分电导谱及其应用 其他
2009-01-01
许铭真; 谭长华; 段小蓉
收藏  |  浏览/下载:3/0  |  提交时间:2015/11/12
应用于集成电路器件的超薄栅氧化层工艺研发 学位论文
博士: 中国科学院研究生院(上海微系统与信息技术研究所)  , 2009
孙凌
收藏  |  浏览/下载:54/0  |  提交时间:2012/03/06
用直接隧道栅电流在线表征PMOSFET负偏压温度不稳定性 期刊论文
中国集成电路, 2007
贾高升; 许铭真
收藏  |  浏览/下载:1/0  |  提交时间:2015/11/11
Hot Carriers Injection in Advanced Deep Sub-micron MOSFETs 学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院(上海微系统与信息技术研究所)  , 2007
Qingxue Wang
收藏  |  浏览/下载:19/0  |  提交时间:2012/03/06
热载流子应力下n-MOSFET线性漏电流的退化 期刊论文
固体电子学研究与进展, 2006
赵要; 许铭真; 谭长华
收藏  |  浏览/下载:1/0  |  提交时间:2015/10/23
用DTPDO研究超薄栅氧化层的诱生缺陷 期刊论文
固体电子学研究与进展, 2006
贾高升; 许铭真; 谭长华; 段小蓉
收藏  |  浏览/下载:1/0  |  提交时间:2015/11/11
基于类渗流导电的超薄栅氧化层软击穿后的电流模拟 期刊论文
半导体学报, 2006
王彦刚; 许铭真; 谭长华; 段小蓉
收藏  |  浏览/下载:1/0  |  提交时间:2015/11/12
超薄栅氧化层n-MOSFET软击穿后的导电机制 期刊论文
物理学报, 2005
王彦刚; 许铭真; 谭长华; 段小蓉
收藏  |  浏览/下载:1/0  |  提交时间:2015/11/12
恒压应力下超薄栅nMOSFET软击穿后的衬底电流特性 期刊论文
半导体学报, 2005
王彦刚; 许铭真; 谭长华; 段小蓉
收藏  |  浏览/下载:1/0  |  提交时间:2015/11/12
超薄栅MOS器件热载流子应力下SILC的产生机制 期刊论文
半导体学报, 2003
杨国勇; 霍宗亮; 王金延; 毛凌锋; 王子欧; 谭长华; 许铭真
收藏  |  浏览/下载:2/0  |  提交时间:2015/10/23


©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by CSpace