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| 采用2D材料磊晶去疵单晶基板及其制备方法和制作组件 专利
专利号: CN109980061A, 申请日期: 2019-07-05, 公开日期: 2019-07-05
作者: 王晓靁; 刘家桓; 宋高梅
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| Si(100)表面Se薄膜生长及其在Ti/Si欧姆接触中的应用 期刊论文
2011
潘书万; 亓东峰; 陈松岩; 李成; 黄巍; 赖虹凯
收藏 | 浏览/下载：2/0 | 提交时间：2016/05/17
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| 纳米半导体技术 专著
北京:化学工业出版社, 北京, 2006
作者: 叶小玲
收藏 | 浏览/下载：360/0 | 提交时间：2009/09/19 |
| 气态源分子束外延InGaP/GaAs HBT材料 成果
鉴定: 无, 2005
齐鸣; 徐安怀; 陈晓杰; 朱福英; 艾立鹍; 李爱珍; 李存才; 胡建
收藏 | 浏览/下载：38/0 | 提交时间：2013/04/12 |
| 分子束外延III-V族锑化物激光器、探测器材料及其应用 成果
鉴定: 无, 2004
未知
收藏 | 浏览/下载：43/0 | 提交时间：2013/04/12 |
| 自组装CdSe量子点的形成 学位论文
博士, 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所, 2001
羊亿
收藏 | 浏览/下载：54/0 | 提交时间：2012/03/21
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| 双晶x射线衍射法测量超薄层外延材料厚度 期刊论文
半导体技术, 1999, 期号: 06, 页码: 45-46+58
曲轶; 高欣; 张宝顺; 薄报学; 张兴德
收藏 | 浏览/下载：11/0 | 提交时间：2013/03/11
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| 新型器件及其超薄层异质外延材料和表面、界面研究 期刊论文
中国科学基金, 1998, 卷号: 12, 期号: 4, 页码: 261
王占国; 陈维德
收藏 | 浏览/下载：4/0 | 提交时间：2010/11/23 |
| LPE生长外延片超薄有源层结构的SEM研究 期刊论文
长春光学精密机械学院学报, 1997, 期号: 04, 页码: 25-26+40
王晓华; 任大翠
收藏 | 浏览/下载：9/0 | 提交时间：2013/03/11
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| 半导体超薄层微结构的外延生长技术 期刊论文
真空科学与技术, 1996, 期号: 03, 页码: 185-192
作者: 彭英才[1]; 王英民[2]; 李星文[3]; 傅广生[4]
收藏 | 浏览/下载：1/0 | 提交时间：2019/12/31
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