新型器件及其超薄层异质外延材料和表面、界面研究 | |
王占国 ; 陈维德 | |
刊名 | 中国科学基金 |
1998 | |
卷号 | 12期号:4页码:261 |
学科主题 | 半导体材料 |
收录类别 | CSCD |
资助信息 | 国家自然科学基金 |
语种 | 中文 |
公开日期 | 2010-11-23 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19065] |
专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所(2009年前) |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 王占国,陈维德. 新型器件及其超薄层异质外延材料和表面、界面研究[J]. 中国科学基金,1998,12(4):261. |
APA | 王占国,&陈维德.(1998).新型器件及其超薄层异质外延材料和表面、界面研究.中国科学基金,12(4),261. |
MLA | 王占国,et al."新型器件及其超薄层异质外延材料和表面、界面研究".中国科学基金 12.4(1998):261. |
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