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| 一种基于硅基氮化镓和二硫化钨单层膜的二维激子激光器及其制备方法 专利
专利号: CN110233427A, 申请日期: 2019-09-13, 公开日期: 2019-09-13
作者: 蔡玮; 韩冰; 王新迪
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| 一种基于电介质布拉格反射镜的垂直腔面发射硅衬底GaN激光器及其制备方法 专利
专利号: CN109149361A, 申请日期: 2019-01-04, 公开日期: 2019-01-04
作者: 蔡玮; 王永进
收藏 | 浏览/下载：9/0 | 提交时间：2020/01/18 |
| 一种亚微米尺寸二维介质柱型光子晶体的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102260870A, 申请日期: 2011-11-30, 公开日期: 2011-11-30
曹远迎; 李耀耀; 张永刚; 顾溢; 王凯
收藏 | 浏览/下载：45/0 | 提交时间：2012/01/06 |
| 阳极氧化铝工艺用于提高LED的出光效率 期刊论文
半导体技术, 2011, 卷号: 36, 期号: 4, 页码: 283-286
作者: 刘志强 ; 伊晓燕; 王晓峰
收藏 | 浏览/下载：25/0 | 提交时间：2012/07/17 |
| PECVD SiC材料刻蚀技术 期刊论文
半导体学报, 2006
陈晟; 李志宏; 张国炳; 郭辉; 王煜; 田大宇
收藏 | 浏览/下载：1/0 | 提交时间：2015/11/12
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| SOI基光波导器件的模拟与实现 学位论文
博士: 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） , 2006
曹共柏
收藏 | 浏览/下载：43/0 | 提交时间：2012/03/06
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| ICP体硅深刻蚀中侧壁形貌控制的研究 其他
2005-01-01
陈兢
收藏 | 浏览/下载：2/0 | 提交时间：2015/11/11
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| ICP体硅深刻蚀中侧壁形貌控制的研究 期刊论文
中国机械工程, 2005
陈兢
收藏 | 浏览/下载：4/0 | 提交时间：2015/11/11
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| PECVD SiC材料刻蚀技术研究 其他
2005-01-01
陈晟; 李志宏; 张国炳; 郭辉; 王煜; 田大宇; 李素兰; 边伟
收藏 | 浏览/下载：1/0 | 提交时间：2015/11/11
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| SOI基集成光波导器件及表面粗糙度改善的研究 学位论文
硕士: 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） , 2005
高凡
收藏 | 浏览/下载：25/0 | 提交时间：2012/03/06
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