ICP体硅深刻蚀中侧壁形貌控制的研究

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	ICP体硅深刻蚀中侧壁形貌控制的研究; Trench Profile Control of Silicon DRIE Process on ICP Tools
	陈兢
刊名	中国机械工程
	2005
关键词	微机电系统电感耦合等离子(ICP)刻蚀深反应离子刻蚀(DRIE) 侧壁形貌 Notching效应 Bowing效应
DOI	10.3321/j.issn:1004-132X.2005.z1.172
英文摘要	对影响电感耦合等离子(ICP)刻蚀侧壁形貌的工艺参数进行了分析,通过改变刻蚀/钝化周期、平板电极功率、钝化气体C4F8流量以及重叠周期等工艺参数,对侧壁的形貌进行调整.通过实验,得到了控制侧壁形貌正负的优化方案,并极大地减小了Bowing效应;提出一种消除Notching效应的新方法,并用于深槽隔离工艺,取得了很好的效果.; 中文核心期刊要目总览(PKU); 中国科学引文数据库(CSCD); 0; z1; 476-478; 16
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.pku.edu.cn/handle/20.500.11897/184605]
专题	信息科学技术学院
推荐引用方式 GB/T 7714	陈兢. ICP体硅深刻蚀中侧壁形貌控制的研究, Trench Profile Control of Silicon DRIE Process on ICP Tools[J]. 中国机械工程,2005.
APA	陈兢.(2005).ICP体硅深刻蚀中侧壁形貌控制的研究.中国机械工程.
MLA	陈兢."ICP体硅深刻蚀中侧壁形貌控制的研究".中国机械工程 (2005).