| 一种基于电介质布拉格反射镜的垂直腔面发射硅衬底GaN激光器及其制备方法 | |
| 蔡玮; 王永进 | |
| 2019-01-04 | |
| 著作权人 | 南京工程学院 |
| 专利号 | CN109149361A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种基于电介质布拉格反射镜的垂直腔面发射硅衬底GaN激光器及其制备方法 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种基于电介质布拉格反射镜的垂直腔面发射硅衬底GaN激光器及其制备方法，使用深硅刻蚀技术，完全剥离器件底部的硅衬底，再使用电感耦合等离子体反应离子刻蚀技术从背面刻蚀掉AlN层、AlGaN层和部分n‑GaN层来调控垂直谐振微腔长度；垂直谐振微腔顶部和底部的反射镜均由电子束蒸发技术沉积电介质布拉格反射镜实现；位于p型电极键合区下方的绝缘隔离层和顶部反射镜使用一步电子束蒸发工艺同时完成。在制备过程中，可以通过调控相关参数来实现激光波长和出射方向的选择，从而获得波长可调、激光出射方向可控的电泵浦硅衬底GaN激光器。本发明提出的基于电介质布拉格反射镜的垂直腔面发射硅衬底GaN激光器成本低、制备工艺简单，可用于多个领域。 |
| 公开日期 | 2019-01-04 |
| 申请日期 | 2018-10-10 |
| 状态 | 申请中 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92310]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 南京工程学院 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 蔡玮,王永进. 一种基于电介质布拉格反射镜的垂直腔面发射硅衬底GaN激光器及其制备方法. CN109149361A. 2019-01-04. |
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