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| 硅基扩镓溅射Ga2O3反应自组装GaN薄膜 期刊论文
2008, 卷号: 14, 期号: 5, 页码: 853-858
作者: 孙振翠[1]; 曹文田[2]; 王书运[2]; 薛成山[2]; 伊长虹[1]
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| 溅射Ga2O3反应自组装和脉冲激光沉积（PLD）法制备GaN薄膜 期刊论文
2007, 卷号: 22, 期号: 4, 页码: 55-57
作者: 伊长虹[1,2]; 孙振翠[1]; 刘玫[2]; 张庆刚[2]; 满宝元[2]
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| 以Ga2O3自组装反应合成单晶体GaN纳米线 会议论文
中国北京, 2004-11
作者: 薛成山[1]; 董志华[1]; 庄惠照[1]; 王书运[1]; 高海勇[1]
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| Si基ZnO／Ga2O3氨化反应制备GaN薄膜 期刊论文
2004, 期号: 2, 页码: 37-41
作者: 庄惠照[1]; 高海永[1]; 薛成山[1]; 王书运[1]; 董志华[1]
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| 氨化反应自组装GaN纳米线 期刊论文
2003, 卷号: 27, 期号: 6, 页码: 684-687
作者: 王显明[1]; 杨利[1]; 王翠梅[2]; 薛成山[1]
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| 硅基磁控溅射Ga2O3/AL2O3膜氨化反应自组装法和热壁CVD法制备GaN薄膜的研究 学位论文
作者: 魏芹芹[1]
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| 硅基扩镓溅射Ga2O3反应自组装和热壁化学气相沉积制备GaN薄膜的研究 学位论文
作者: 孙振翠[1]
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| 硅基磁控溅射Ga2O3/Al2O3膜氨化反应自组装法和热壁CVD法制备GaN薄膜的研究 学位论文
作者: 魏芹芹
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