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	氨化反应自组装GaN纳米线
	王显明[1]; 杨利[1]; 王翠梅[2]; 薛成山[1]
	2003
卷号	27期号:6页码:684-687
关键词	纳米Ga2O3薄膜 GaN纳米线 射频磁控溅射 氨化
URL标识	查看原文
内容类型	期刊论文
URI标识	http://www.corc.org.cn/handle/1471x/5787783
专题	山东师范大学
作者单位	1.[1]山东师范大学半导体研究所,山东,济南,250014 2.[2]山东师范大学半导体研究所,山东,济南,250014,山东师范大学物理系,山东,济南,250014
推荐引用方式 GB/T 7714	王显明[1],杨利[1],王翠梅[2],等. 氨化反应自组装GaN纳米线[J],2003,27(6):684-687.
APA	王显明[1],杨利[1],王翠梅[2],&薛成山[1].(2003).氨化反应自组装GaN纳米线.,27(6),684-687.
MLA	王显明[1],et al."氨化反应自组装GaN纳米线".27.6(2003):684-687.

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