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	Si基ZnO／Ga2O3氨化反应制备GaN薄膜
	庄惠照[1]; 高海永[1]; 薛成山[1]; 王书运[1]; 董志华[1]
	2004
期号	2页码:37-41
关键词	Ga2O3薄膜 ZnO缓冲层 氨化 自组装 射频磁控溅射
URL标识	查看原文
内容类型	期刊论文
URI标识	http://www.corc.org.cn/handle/1471x/5795127
专题	山东师范大学
作者单位	[1]山东师范大学,物理与电子科学学院,济南,250014
推荐引用方式 GB/T 7714	庄惠照[1],高海永[1],薛成山[1],等. Si基ZnO／Ga2O3氨化反应制备GaN薄膜[J],2004(2):37-41.
APA	庄惠照[1],高海永[1],薛成山[1],王书运[1],&董志华[1].(2004).Si基ZnO／Ga2O3氨化反应制备GaN薄膜.(2),37-41.
MLA	庄惠照[1],et al."Si基ZnO／Ga2O3氨化反应制备GaN薄膜"..2(2004):37-41.

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