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期刊论文 [13]
学位论文 [2]
专利 [1]
发表日期
2015 [1]
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SOI FinFET单粒子效应数值模拟分析
学位论文
2015
作者:
孙钺钲
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2019/12/02
SOI FinFET
寄生双极晶体管
量子效应
单粒子效应
深亚微米金属氧化物场效应晶体管及寄生双极晶体管的总剂量效应研究
期刊论文
物理学报, 2014, 卷号: 63, 期号: 22, 页码: 262-269
作者:
王信
;
陆妩
;
吴雪
;
马武英
;
崔江维
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2017/10/13
总剂量效应
N沟道金属氧化物场效应晶体管
寄生双极晶体管
Bandgap基准电压源
绝缘栅型双极晶体管
专利
申请日期: 2013-03-18,
作者:
张文亮
;
胡爱斌
;
朱阳军
;
田晓丽
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2016/09/29
PDSOI体源连接环形栅nMOS特性研究
期刊论文
固体电子学研究与进展, 2008, 期号: 1
作者:
毕津顺
;
海潮和
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2010/05/27
部分耗尽绝缘体上硅
环形栅 浮体效应
体源连接
PD CMOS/SOI抗辐射54HC电路设计及制造
学位论文
博士: 中国科学院研究生院(上海微系统与信息技术研究所) , 2008
贺威
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浏览/下载:23/0
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提交时间:2012/03/06
绝缘体上硅(SOI)
总剂量辐射效应
器件模型
PDSOI体源连接环形栅nMOS特 性研究
期刊论文
固体电子学研究与进展, 2007, 卷号: 28, 期号: 1, 页码: 4,12_15
作者:
海潮和
;
毕津顺
收藏
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2010/05/26
部分耗尽绝缘体上硅
环形栅
浮体效应
体源连接
PDSOInMOSFETs关态击穿特性
期刊论文
半 导 体 学 报, 2007, 卷号: 28, 期号: 1, 页码: 5,14_18
作者:
毕津顺
;
海潮和
收藏
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2010/05/26
部分耗尽绝缘体上硅
击穿
背栅沟道注入
辐照对SOI NMOS寄生双极晶体管的影响
期刊论文
固体电子学研究与进展, 2006, 卷号: 26, 期号: 3, 页码: 304-306
作者:
韩郑生
;
海潮和
;
赵洪辰
;
钱鹤
收藏
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2010/05/26
总剂量辐照
寄生双极晶体管
绝缘体上硅
提高SOI器件和电路性能的研究
期刊论文
半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 增刊, 页码: 322-327
作者:
韩郑生
;
海潮和
;
周小茵
;
赵立新
;
李多力
收藏
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2010/05/26
Soi
浮体效应
沟道
抗辐照
源区浅结S01MOSFET的辐照效应模拟
期刊论文
半导体学报, 2004, 卷号: 25, 期号: 6, 页码: 735-740
作者:
钱鹤
;
赵洪辰
;
海潮和
;
韩郑生
收藏
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2010/05/26
源区浅结
不对称soi
Mosfet
辐照效应
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