源区浅结S01MOSFET的辐照效应模拟

	源区浅结S01MOSFET的辐照效应模拟
	钱鹤; 赵洪辰; 海潮和; 韩郑生
刊名	半导体学报
	2004
卷号	25 期号:6 页码:735-740
关键词	源区浅结不对称soi Mosfet 辐照效应
ISSN号	0253-4177
产权排序	1
英文摘要	研究了源区浅结的不对称SOI MOSFET对浮体效应的改善，模拟了总剂量、抗单粒子事件(SEU)、瞬时辐照效应以及源区深度对抗辐照性能的影响．这种结构器件的背沟道抗总剂量能力比传统器件有显著提高，并且随着源区深度的减小，抗总剂量辐照的能力不断加强．体接触不对称结构的抗SEU和瞬时辐照能力优于无体接触结构和传统结构器件，这与体接触对浮体效应的抑制和寄生npn双极晶体管电流增益的下降有关．
语种	中文
公开日期	2010-05-26
内容类型	期刊论文
源URL	[http://10.10.10.126/handle/311049/1054]
专题	微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年）
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	钱鹤,赵洪辰,海潮和,等. 源区浅结S01MOSFET的辐照效应模拟[J]. 半导体学报,2004,25(6):735-740.
APA	钱鹤,赵洪辰,海潮和,&韩郑生.(2004).源区浅结S01MOSFET的辐照效应模拟.半导体学报,25(6),735-740.
MLA	钱鹤,et al."源区浅结S01MOSFET的辐照效应模拟".半导体学报 25.6(2004):735-740.