PDSOInMOSFETs关态击穿特性

	PDSOInMOSFETs关态击穿特性
	毕津顺; 海潮和
刊名	半导体学报
	2007
卷号	28 期号:1 页码:5,14_18
关键词	部分耗尽绝缘体上硅击穿背栅沟道注入
ISSN号	0253_4177
产权排序	1
英文摘要	分别采用不同的背栅沟道注入剂量制成了部分耗尽绝缘体上硅浮体和 H型栅体接触 n型沟道器件.对这些器件的关态击穿特性进行了研究 .当背栅沟道注入剂量从 1.0 x 10”增加到 1.3 x 1 0”cm,浮体n型沟道器件关态击穿电压由5.2升高到6.7 V,而H型栅体接触 n型沟道器件关态击穿电压11.9降低到9V.通过测量寄生双极晶体管静态增益和漏体pn结击穿电压,对部分耗尽绝缘体上硅浮体和 H型栅体接触n型沟道器件的击穿特性进行了定性解释和分析.
语种	英语
公开日期	2010-05-26
内容类型	期刊论文
源URL	[http://10.10.10.126/handle/311049/1510]
专题	微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年）
推荐引用方式 GB/T 7714	毕津顺,海潮和. PDSOInMOSFETs关态击穿特性[J]. 半导体学报,2007,28(1):5,14_18.
APA	毕津顺,&海潮和.(2007).PDSOInMOSFETs关态击穿特性.半导体学报,28(1),5,14_18.
MLA	毕津顺,et al."PDSOInMOSFETs关态击穿特性".半导体学报 28.1(2007):5,14_18.