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题名	PD CMOS/SOI抗辐射54HC电路设计及制造
作者	贺威
学位类别	博士
答辩日期	2008
授予单位	中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所）
导师	王曦
关键词	绝缘体上硅（SOI） 　总剂量辐射效应 　器件模型
学位专业	微电子学与固体电子学
中文摘要	抗辐射CMOS/SOI器件和电路的一直是应用领域的研究焦点，本论文以在注硅加固的抗辐射SIMOX SOI材料上设计制作4款抗辐射的54HC系列电路为目的，开展抗辐照CMOS/SOI器件和电路的研究，并分别建立了CMOS/SOI器件的精简模型和特殊栅结构CMOS/SOI器件模型。本论文中将部分耗尽CMOS/SOI器件的正栅晶体管和寄生双极晶体管简化成等效电路图，提出了一个简化的、同时又具有较高精度的CMOS/SOI器件精简模型，适合电路快速计算机模拟。同时建立完整模型参数提取方法，提取器件模型参数。并对提取
语种	中文
公开日期	2012-03-06
内容类型	学位论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/83045]
专题	上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文
推荐引用方式 GB/T 7714	贺威. PD CMOS/SOI抗辐射54HC电路设计及制造[D]. 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所）  . 2008.

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