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垂直腔面发射激光器氧化台阶及激光器的制备方法 专利
专利号: CN109449755A, 申请日期: 2019-03-08, 公开日期: 2019-03-08
作者:  刘嵩;  梁栋
收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/30
一种精确控制碳化硅高温离子注入掩模陡直性的方法 专利
专利号: CN201310570937.8, 申请日期: 2016-04-20, 公开日期: 2014-02-05
作者:  白云;  刘新宇;  汤益丹;  许恒宇;  蒋浩杰
收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2017/05/27
熔石英三倍频激光损伤及表面修复技术研究 学位论文
博士: 中国科学院上海光学精密机械研究所, 2015
作者:  方周
收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2016/11/28
氧化硅RIE刻蚀工艺研究 期刊论文
半导体光电, 2014, 卷号: 35, 页码: 57-60
作者:  杜文涛[1];  曾志刚[2];  胡志宇[3]
收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/04/30
垂直结构GaN基LED的侧壁优化技术 期刊论文
半导体技术, 2011, 卷号: 36, 期号: 3, 页码: 206-209
作者:  伊晓燕;  刘志强
收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2011/08/16
感应耦合等离子体刻蚀InP／InGaAsP二维光子晶体结构的研究 期刊论文
物理学报, 2007, 卷号: 56, 期号: 2, 页码: 977-981
作者:  陈良惠;  樊中朝
收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2010/11/23
脉宽压缩光栅用多层介质膜的设计、制备和性能分析 学位论文
博士: 中国科学院上海光学精密机械研究所, 2006
作者:  孔伟金
收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2016/11/28

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