感应耦合等离子体刻蚀InP／InGaAsP二维光子晶体结构的研究

	感应耦合等离子体刻蚀InP／InGaAsP二维光子晶体结构的研究
	陈良惠; 樊中朝
刊名	物理学报
	2007
卷号	56 期号:2 页码:977-981
中文摘要	为实现基于InP／hGaAsP材料的二维光子晶体结构低损伤、高各向异性的干法刻蚀，研究了对InP材料基于C1_2，BCl_3气体的感应耦合等离子体刻蚀．从等离子体轰击使衬底升温的角度分析了刻蚀机理，发现离子轰击加热引起的侧蚀与物理溅射在侧壁再沉积之间处于平衡时可以得到高各向异性刻蚀，平衡点将随ICP功率增高而向偏压减小方向移动。从而在近203V偏压下得到陡直的侧壁．在优化气体组分后，成功实现了光于晶体结构高各向异性的低偏压刻蚀．
学科主题	光电子学
收录类别	CSCD
语种	中文
公开日期	2010-11-23
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16337]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	陈良惠,樊中朝. 感应耦合等离子体刻蚀InP／InGaAsP二维光子晶体结构的研究[J]. 物理学报,2007,56(2):977-981.
APA	陈良惠,&樊中朝.(2007).感应耦合等离子体刻蚀InP／InGaAsP二维光子晶体结构的研究.物理学报,56(2),977-981.
MLA	陈良惠,et al."感应耦合等离子体刻蚀InP／InGaAsP二维光子晶体结构的研究".物理学报 56.2(2007):977-981.