| 氧化硅RIE刻蚀工艺研究 | |
| 杜文涛[1]; 曾志刚[2]; 胡志宇[3] | |
| 刊名 | 半导体光电
 |
| 2014 | |
| 卷号 | 35页码:57-60 |
| 关键词 | 反应等离子刻蚀 氧化硅 工艺参数 刻蚀侧壁角度 |
| ISSN号 | 1001-5868 |
| URL标识 | 查看原文 |
| 内容类型 | 期刊论文 |
| URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/2281798 |
| 专题 | 上海大学 |
| 作者单位 | [1] 上海大学纳微能源研究所, 上海 200444, 中国[2] 上海大学纳微能源研究所, 上海 200444, 中国[3] 上海大学纳微能源研究所, 上海 200444, 中国 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 杜文涛[1],曾志刚[2],胡志宇[3]. 氧化硅RIE刻蚀工艺研究[J]. 半导体光电,2014,35:57-60. |
| APA | 杜文涛[1],曾志刚[2],&胡志宇[3].(2014).氧化硅RIE刻蚀工艺研究.半导体光电,35,57-60. |
| MLA | 杜文涛[1],et al."氧化硅RIE刻蚀工艺研究".半导体光电 35(2014):57-60. |
| 个性服务 |
| 查看访问统计 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论