垂直结构GaN基LED的侧壁优化技术 | |
伊晓燕![]() ![]() | |
刊名 | 半导体技术
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2011 | |
卷号 | 36期号:3页码:206-209 |
中文摘要 | 为了提升垂直结构LED提取效率,针对器件侧壁出光的研究越发引起研究人员的关注.由于GaN的高折射率,大部分有源区发出的光线将被限制在GaN层内横向传输.对不同刻蚀倾角侧面的光提取效率进行分析模拟,模拟结果显示,LED的提取效率可以通过侧壁倾斜角度的优化得以提升.实验结果表明,特定侧壁倾角器件的提取效率相比较垂直侧壁提高了18.75%,电致发光光谱测试(EL)结果表明,实验结论与理论计算值基本吻合.本结论对垂直结构GaN基LED器件的优化设计与性能提升有重要指导意义 |
学科主题 | 半导体器件 |
收录类别 | CSCD |
语种 | 中文 |
公开日期 | 2011-08-16 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21660] ![]() |
专题 | 半导体研究所_中科院半导体照明研发中心 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 伊晓燕,刘志强. 垂直结构GaN基LED的侧壁优化技术[J]. 半导体技术,2011,36(3):206-209. |
APA | 伊晓燕,&刘志强.(2011).垂直结构GaN基LED的侧壁优化技术.半导体技术,36(3),206-209. |
MLA | 伊晓燕,et al."垂直结构GaN基LED的侧壁优化技术".半导体技术 36.3(2011):206-209. |
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