垂直结构GaN基LED的侧壁优化技术

	垂直结构GaN基LED的侧壁优化技术
	伊晓燕; 刘志强
刊名	半导体技术
	2011
卷号	36 期号:3 页码:206-209
中文摘要	为了提升垂直结构LED提取效率,针对器件侧壁出光的研究越发引起研究人员的关注.由于GaN的高折射率,大部分有源区发出的光线将被限制在GaN层内横向传输.对不同刻蚀倾角侧面的光提取效率进行分析模拟,模拟结果显示,LED的提取效率可以通过侧壁倾斜角度的优化得以提升.实验结果表明,特定侧壁倾角器件的提取效率相比较垂直侧壁提高了18.75%,电致发光光谱测试(EL)结果表明,实验结论与理论计算值基本吻合.本结论对垂直结构GaN基LED器件的优化设计与性能提升有重要指导意义
学科主题	半导体器件
收录类别	CSCD
语种	中文
公开日期	2011-08-16
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21660]
专题	半导体研究所_中科院半导体照明研发中心
推荐引用方式 GB/T 7714	伊晓燕,刘志强. 垂直结构GaN基LED的侧壁优化技术[J]. 半导体技术,2011,36(3):206-209.
APA	伊晓燕,&刘志强.(2011).垂直结构GaN基LED的侧壁优化技术.半导体技术,36(3),206-209.
MLA	伊晓燕,et al."垂直结构GaN基LED的侧壁优化技术".半导体技术 36.3(2011):206-209.