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福州大学 [9]
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期刊论文 [6]
会议论文 [3]
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2018 [1]
2017 [1]
2016 [3]
2015 [1]
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Annealing effect on the bipolar resistive switching characteristics of a Ti/Si3N4/n-GaN MIS device
期刊论文
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2018, 卷号: 740, 页码: 816-822
作者:
Chen, Y. R.
;
Li, Z. M.
;
Zhang, Z. W.
;
Hu, L. Q.
;
Jiang, H.
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2019/11/21
Annealing effect
Resistive switching
Nonvolatile memory
Metal-insulator-semiconductor
Data storage materials
Thermal stability and data retention of resistive random access memory with HfOx/ZnO double layers
期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2017, 卷号: 26
作者:
Lai, Yun-Feng
;
Chen, Fan
;
Zeng, Ze-Cun
;
Lin, PeiJie
;
Cheng, Shu-Ying
收藏
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2019/11/21
data retention
thermal stability
double layer
resistive random access memory (RRAM)
Bipolar Resistive Switching in Al/GO-PEDOT:PSS/Pt Memory Devices
会议论文
作者:
Chao, Hong
;
Yuan, Fang-Yuan
;
Wu, Huaqiang
;
Deng, Ning
;
Wang, Chongjie
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2019/11/21
PEDOT:PSS
bipolar
graphene oxide
resistive random-access memory
Carrier transport and memory mechanisms of multilevel resistive memory devices with an intermediate state based on double-stacked organic/inorganic nanocomposites
期刊论文
ORGANIC ELECTRONICS, 2016, 卷号: 28, 页码: 20-24
作者:
Ma, Zehao
;
Wu, Chaoxing
;
Lee, Dea Uk
;
Li, Fushan
;
Kim, Tae Whan
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2019/11/21
Memory mechanisms
Resistive memory device
PMMA
CdSe/ZnS QD
Multilevel characteristics
Resistive switching memory based on organic/inorganic hybrid perovskite materials
期刊论文
VACUUM, 2016, 卷号: 130, 页码: 109-112
作者:
Liu, Yang
;
Li, Fushan
;
Chen, Zhixin
;
Guo, Tailiang
;
Wu, Chaoxing
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2019/11/21
Perovskite
Resistive switching
Memory
Graphene Oxide and TiO2 Nano-particle Composite Based Nonvolatile Memory
会议论文
作者:
Chao, Hong
;
Yuan, Fang-Yuan
;
Wu, Huaqiang
;
Deng, Ning
;
Yu, Zhong-Zhen
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2019/11/21
bipolar
graphene oxide
TiO2 nano-particles
resistive random-access memory
Defects and Resistive Switching of Zinc Oxide Nanorods with Copper Addition Grown by Hydrothermal Method
期刊论文
JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS, 2014, 卷号: 43, 页码: 2676-2682
作者:
Lai, Yunfeng
;
Wang, Yuzhu
;
Cheng, Shuying
;
Yu, Jinling
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2019/11/21
hydrothermal method
resistive random-access memory
nanorods
Zinc oxide
Resistive Switching Memory Based on Three-Dimensionally Confined Ag Quantum Dots Embedded in Ultra Thin Polyimide Layers
会议论文
作者:
Wu, Chaoxing
;
Li, Fushan
;
Guo, Tailiang
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2019/11/21
Polyimide
Ag Quantum Dots
Charge Trapping
Mechanism
Resistive Switching Memory
Electrical memory devices based on inorganic/organic nanocomposites
期刊论文
NPG ASIA MATERIALS, 2012, 卷号: 4
作者:
Kim, Tae Whan
;
Yang, Yang
;
Li, Fushan
;
Kwan, Wei Lek
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2019/11/21
resistive switching
hybrid nanocomposites
carrier transport
flexible
nonvolatile memory
graphene
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