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| GaN基发光二极管外延中p型AlGaN电子阻挡层的优化生长 期刊论文 物理学报, 2011, 卷号: 60, 期号: 1, 页码: 016108-1-016108-6 作者: 王兵 ; 李志聪 ; 梁萌![](/image/person.jpg)
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| 一种氮化镓基发光二极管的外延粗化方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102214739A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 作者: 李志聪![](/image/person.jpg)
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| 一种交流发光二极管 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-10-23 田婷; 赵勇兵; 詹腾; 郭金霞; 伊晓燕; 刘志强; 李璟; 王国宏
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| 利用双成核层生长高质量氮化镓外延结构的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-04 梁萌; 李鸿渐; 姚然; 李志聪; 李盼盼; 王兵; 李璟; 伊晓燕; 王军喜; 王国宏; 李晋闽
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| 侧面粗化的倒装发光二极管及其制作方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-01-30 田婷; 谢海忠; 张逸韵; 王兵; 杨华; 李璟; 伊晓燕; 王国宏
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| 一种氮化镓外延中的相变成核的生长方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010145087.3, 公开日期: 2011-08-31 王兵; 李志聪; 王国宏; 闫发旺; 姚然; 王军喜; 李晋闽
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| 高功率因数的LED驱动电路 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-09-04 赵勇兵; 田婷; 詹腾; 郭金霞; 杨华; 李璟; 伊晓燕; 王国宏; 李晋闽
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| 应用石墨烯作为导热层的倒装结构发光二极管 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-04-24 李智; 张逸韵; 程滟; 赵勇兵; 刘志强; 伊晓燕; 王国宏
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| 在图形衬底上生长氮化镓外延结构的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-04 梁萌; 李鸿渐; 姚然; 李志聪; 李盼盼; 王兵; 李璟; 伊晓燕; 王军喜; 王国宏; 李晋闽
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| 侧面粗化的发光二极管及其制作方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-18 谢海忠; 张逸韵; 王兵; 杨华; 李璟; 伊晓燕; 王军喜; 王国宏; 李晋闽
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