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	在图形衬底上生长氮化镓外延结构的方法
	梁萌 ; 李鸿渐 ; 姚然 ; 李志聪 ; 李盼盼 ; 王兵 ; 李璟 ; 伊晓燕 ; 王军喜 ; 王国宏 ; 李晋闽
专利国别	中国
专利类型	发明
权利人	中国科学院半导体研究所
学科主题	半导体器件
公开日期	2012-07-04
申请日期	2012-03-21
专利申请号	CN201210075720.5
内容类型	专利
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25381]
专题	半导体研究所_中科院半导体照明研发中心
推荐引用方式 GB/T 7714	梁萌,李鸿渐,姚然,等. 在图形衬底上生长氮化镓外延结构的方法.

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