一种氮化镓基发光二极管的外延粗化方法

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	李志聪
专利国别	中国
专利号	CN102214739A
专利类型	发明
权利人	中国科学院半导体研究所
中文摘要	本发明公开了一种氮化镓基LED的外延粗化方法的流程图,包括：选择一衬底；在该衬底上生长一氮化铝镓铟成核层；在该氮化铝镓铟成核层上生长非故意掺杂氮化镓层；在该非故意掺杂氮化镓层上生长N型掺杂的氮化镓层；在该N型掺杂的氮化镓层上生长氮化铝镓铟多量子阱发光层；在该氮化铝镓铟多量子阱发光层上生长P型掺杂的氮化铝镓铟层,该层为单层或者不同组分与厚度的氮化铝镓铟叠层结构；以及在该P型掺杂的氮化铝镓铟层上生长P型掺杂的氮化镓层。利用本发明,实现了P型掺杂的氮化铝镓铟层生长时的表面粗化,制备出的LED效率相对与传统结构提高了30％以上,且其电学性质优良。
公开日期	2012-09-09 ; 2012-09-09 ; 2012-09-09
语种	中文
专利申请号	CN201110136088.6
内容类型	专利
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23512]
专题	半导体研究所_中科院半导体照明研发中心
推荐引用方式 GB/T 7714	李志聪. 一种氮化镓基发光二极管的外延粗化方法, 一种氮化镓基发光二极管的外延粗化方法, 一种氮化镓基发光二极管的外延粗化方法, 一种氮化镓基发光二极管的外延粗化方法. CN102214739A.