| 一种氮化镓外延中的相变成核的生长方法; 一种氮化镓外延中的相变成核的生长方法 | |
| 王兵 ; 李志聪 ; 王国宏 ; 闫发旺 ; 姚然 ; 王军喜 ; 李晋闽 | |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN201010145087.3 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 中文摘要 | 一种氮化镓外延中的相变成核的生长方法，包括：步骤1：选择一衬底；步骤2：在衬底上采用金属有机化合物气相沉积法生长氮化镓成核层，该氮化镓成核层为相变缓冲层；步骤3：在氮化镓成核层上生长非有意掺杂氮化镓层，该非有意掺杂氮化镓层为高结晶质量氮化镓层，完成生长制备。 |
| 公开日期 | 2011-08-31 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | CN201010145087.3 |
| 专利代理 | 汤保平 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22149]  |
| 专题 | 半导体研究所_中科院半导体照明研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王兵,李志聪,王国宏,等. 一种氮化镓外延中的相变成核的生长方法, 一种氮化镓外延中的相变成核的生长方法. CN201010145087.3. |
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